摘要
넓은 밴드갭 반도체는 필터가 없는 콤팩트한 주광 차단 심자외선 탐지기 개발에 큰 발전 가능성을 가지고 있습니다. 본 논문은 분자빔 에피택시로 성장된 단결정 MgZnO 박막과 마그네트론 스퍼터링으로 제작한 비정질 Ga2O3 박막 및 이에 대응하는 주광 차단 심자외선 탐지기 연구 경험을 바탕으로 MgZnO와 비정질 Ga2O3를 대표로 하는 넓은 밴드갭 산화물 반도체 심자외선 탐지기 연구 진척 상황을 종합적으로 고찰하였으며, 비정질 Ga2O3 박막이 단결정 박막과 맞먹는 심자외선 응답 특성을 보임을 발견하였습니다. 다수의 연구 결과는 산소 공공 결함이 소자의 성능에 결정적인 역할을 하며, 이를 적절히 조절하면 소자 성능을 효과적으로 향상시킬 수 있음을 보여줍니다. 또한 산소 공공 결함과 관련된 지속 광전도 효과는 심자외선 광전자 시냅스 소자 개발에 새로운 연구 시각을 제공합니다. 마지막으로, 상기 연구에서 존재하는 문제점을 분석 및 요약하여 향후 넓은 밴드갭 산화물 반도체 재료, 특히 비정질 Ga2O3 재료의 심자외선 탐지 산업 적용을 더욱 촉진하고자 합니다.
关键词
주광 차단 심자외선;광전 탐지기;마그네슘 아연 산화물;갈륨 산화물;비정질
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