정류 회로는 교류를 직류로 변환하는 핵심 부품으로 에너지 수집 마이크로시스템에서 중요한 역할을 한다. 기존의 실리콘 또는 게르마늄 기반 정류 다이오드는 특수한 제조 공정 때문에 시스템 통합을 방해한다. 반면, 금속 산화물 다이오드는 간단한 제조 기술 덕분에 시스템 통합 측면에서 장점을 가진다. 산화물 반도체의 산소 결함은 소자의 전기적 성능에 큰 영향을 미치므로 산소 결함 농도를 조절하여 다이오드 성능을 효과적으로 조절할 수 있다. 본 연구에서는 스퍼터링 공정 중 산소 흐름을 조절하여 InGaZnO 박막 내 산소 결함 농도를 효과적으로 조절하였다. 실험 결과 이 다이오는 1V 전압에서 43.82 A·cm^-2의 순방향 전류 밀도와 6.94×10⁴의 정류비를 가지며, 1kHz, 5V 입력 정현파 신호를 효율적으로 정류하여 에너지 변환 및 관리에 큰 잠재력을 보여주었다. 산소 결함 조절을 통해 정류 다이오드 성능 최적화를 위한 아이디어와 방법을 제공한다.

InGaZnO;쇼트키 장벽 다이오드;산소 결함;정류 성능