摘要
GaAs 기반 나노재료는 탁월한 광전기적 특성으로 인해 근적외선 나노 광전자 소자에 매우 중요하다. 그러나 GaAs 재료의 크기가 작아짐에 따라 아연 블렌드(ZB)상과 월츠(WZ)상이 혼합되어 형성된 II형 양자우물 구조 및 큰 표면적 대비 부피 비율에 의해 야기된 표면 결함이 GaAs 나노와이어의 발전을 심각하게 방해한다. 높은 발광 효율을 갖는 GaAs 기반 나노와이어의 실현이 연구의 중심이 되었다. 본 연구에서는 미리 에칭된 실리콘 기판과 GaAs/AlGaAs 코어-쉘 이종구조의 형성을 결합하여 그림자 효과와 표면 수동화를 활용하여 우수한 수직성, 뛰어난 결정 구조 및 높은 발광 효율을 갖는 GaAs 기반 나노와이어를 제조하였다. 이 결론의 주요 증거는 온도 변화 스펙트럼에서 두드러진 자유 엑시톤 방출과 출력 변화 스펙트럼에서 제안된 낮은 열 활성화 에너지를 포함한다. 결과는 설명된 성장 방법이 다른 III-V 저차원 재료의 결정 구조 및 광학적 특성을 향상시키는 데 사용될 수 있음을 보여주며, 미래 나노와이어 소자의 기반을 마련할 것으로 기대된다.
关键词
GaAs 나노와이어;GaAs/AlGaAs 코어-쉘 구조;결정상;광학적 특성
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