摘要
GaN 기반 청색 Micro-LED 칩에 대해 온도 응력과 전압 응력의 실험 방법으로 역누설 전류 고장 메커니즘을 연구하였다. 결과에 따르면 온도 응력 하에서 Micro-LED 칩의 열화 전 역누설 전류는 주로 다단계 열 보조 터널 전류로 구성되며, Poole-Frenkel(PF) 터널 메커니즘의 영향을 받는다; 전압 응력(-85V) 열화 후에는 역누설 전류가 응력 시간의 증가에 따라 증가하며, 이때 다단계 열 보조 터널 전류에서 공간 전하 제한 전류 메커니즘(SCLC)으로 전환된다. 열화 전후의 에너지 밴드 도표 분석을 통해 장시간 전압 응력은 파괴 현상을 일으키며 Micro-LED 칩 내부의 전기장이 급격히 변화하여 전자가 높은 에너지로 격자 원자에 충돌하여 다수의 캐리어를 생성하여 비복사 재결합률을 증가시켜 역누설 전류가 기존 1.9766×10-7 A에서 1.5834×10-4 A로 증가함을 알 수 있다.
关键词
Micro-LED; 고장 메커니즘; 비복사 재결합; 터널 채널; 역누설 전류
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