摘要
수열법과 후속 진공 열처리 방법을 결합하여 역 스피넬 구조를 가진 Znx Mg0.993-x Ga2O4∶0.7％Ni2+(x =0~0.5)(ZMGO∶Ni2+) 근적외선 제2영역(NIR-Ⅱ: 1,000~1,700 nm) 형광체를 제조하였다. Zn2+ 도핑량이 증가함에 따라 ZMGO∶Ni2+ 분말 시료의 입자 크기가 점차 커졌다. 635 nm 레이저 여기 하에 약 1,279 nm 부근에서 넓은 대역 발광 피크가 관찰되었고, 이는 Ni2+의 특성 발광에 기인한다. 또한, Zn2+ 도핑으로 인한 시료 형광 소광의 열 활성화 에너지가 244 meV에서 224 meV로 감소하였다. 가장 강한 발광 강도를 가지는 ZMGO∶Ni2+ 분말 시료와 620 nm 적색 LED 칩을 패키징하여 NIR-Ⅱ 형광체 변환 LED(NIR-Ⅱ pc-LED)를 제작하였다. NIR-Ⅱ 빛의 투과력이 우수하고 생물 조직 자형광을 발생시키지 않는 특성을 바탕으로 NIR-Ⅱ pc-LED를 광원으로 하여 차단 상황에서의 야간 영상화 및 생물 조직 영상화에 대한 응용을 각각 연구하였다.
关键词
광발광;전이 금속 이온;근적외선 제2 영역;형광체
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