고온 열처리된 AlN 기판 위에 제조된 서로 다른 발광 파장의 AlGaN 기반 LED 소자의 바이러스 불활성화 효율을 탐구하기 위해, 본 연구에서는 257~294 nm 범위의 발광 파장을 갖는 7개의 서로 다른 AlGaN 기반 심자외선 LED 소자를 제조하고, 이들의 콕사키 바이러스 불활성화 효율을 조사하였다. 실험 결과 고온 열처리된 AlN 기판은 AlN 기판의 전위 밀도를 1.33×10⁷ cm^-2로 낮출 수 있어 고효율 AlGaN 기반 LED 소자 제조의 좋은 기반을 마련하였다; 고온 열처리 AlN 기판 위에 제조된 AlGaN 기반 LED 소자는 불활성화 거리 2 cm, 자외선 조사 시간 30초 조건에서 발광 중심 파장이 257~278 nm 범위에 있는 LED 소자가 콕사키 바이러스 불활성화율이 ≥99.90%인 반면, 288 nm, 294 nm 파장의 LED 소자는 각각 99.47%, 96.15%의 불활성화율을 보였다. 이 연구 결과를 바탕으로 257~278 nm 범위의 AlGaN 기반 LED 소자가 바이러스 소독 분야에 적합하다; 본 연구의 실험 조건에서는 288 nm 이상의 파장을 갖는 AlGaN 기반 심자외선 LED 소자는 바이러스 불활성화 효과가 낮았다.

고온 열처리;AlN 기판;AlGaN;LED;바이러스 불활성화