1.55 μm 고출력 반도체 레이저는 장거리 백본 네트워크, 자율주행 등 분야에서 널리 사용되고 있습니다. 응용 시스템에서 더 높은 레이저 출력은 시스템 작동 거리와 수신단의 신호 대 잡음비 향상에 유리합니다. 광전자 집적 및 공동 패키징 광학의 빠른 발전에 따라 높은 광전자 집적 밀도는 레이저가 저전력 소비 등의 성능을 갖추도록 요구합니다. 본 논문에서는 레이저 외연 P-InP 도핑을 최적화하여 상온에서 레이저 직렬 저항을 3.2 Ω에서 2.2 Ω으로 낮췄으며, 장치 저항 성능은 동일 구조 비교 장치보다 우수합니다. 300 mA 전류에서 장치 전력 소비는 510 mW에서 430 mW로 감소했습니다. 더 나아가 원뿔형 도파관 구조를 채택하여 레이저 이득 부피를 향상시켰으며, 테스트 결과 원뿔형 도파관 구조가 레이저 출력 전력을 17% 이상 향상시키는 동시에 장치 전력 소비가 유의미하게 증가하지 않음을 보여줍니다. 상온 저전류 조건에서 장치의 최대 광전 변환 효율은 약 50%에 도달하며, 관련 연구 보고값과 유사합니다. 원거리장 테스트 결과는 레이저 수평 발산각이 효과적으로 감소했음을 보여주며, 장치 빔 품질은 크게 변화하지 않았습니다. 실험 결과는 광전자 집적 응용을 위한 저전력 고출력 반도체 레이저 연구의 기초를 제공합니다.

1.55 μm;InP/InGaAsP;고출력 레이저;p형 도핑;원뿔형 도파관