InAs/GaSb Ⅱ형 슈퍼격자는 중적외선 영역 광전자 장치의 핵심 구조로, Ⅱ형 밴드 배열 특성으로 인해 전자와 정공이 실공간에서 분리되어 계면을 통과하며, 공통 원자가 아닌 계면 구조로 인해 계면 상태가 풍부합니다. Burt-Foreman 봉함함수 이론을 기반으로 다양한 계면 상태가 슈퍼격자 전자 상태와 파동 함수에 미치는 조절 작용을 논의하였습니다. 이론 계산 결과, 완만한 계면과 계면 포텐셜의 두 가지 비대칭 계면 상태 분포가 무거운 정공 띠의 스핀 분리를 초래하며, 가벼운 정공 띠의 스핀 분리는 계면 포텐셜을 가할 때만 발생합니다. 또한, 우물 폭과 장벽 변화를 통해 슈퍼격자 시스템의 밴드갭 변화 경향을 연구하였습니다. 결과는 장벽 두께가 증가함에 따라 가파른 계면과 완만한 계면 두 가지 계면 상태에서의 밴드갭 계산 결과가 점차 감소하고 두께 증가에 따라 수렴하는 경향을 보이며, 계면 포텐셜 하에서는 장벽 두께 증가에 따라 밴드갭이 증가하여 앞의 두 경우와 반대 경향을 나타내며, 중적외선 슈퍼격자 장치의 정밀 설계에 참고할 수 있는 이론적 기초를 제공합니다.

안티모나이드; 슈퍼격자; 계면 상태; 전후방 차분법