摘要
분리된 다중 양자 우물 전자 차단층(EBL)을 통해 AlGaN 기반 DUV-LED 소자의 성능 향상이 이루어졌다. 시뮬레이션 결과에 따르면, 기존의 벌크형 EBL과 비교하여 분리된 다중 양자 우물 구조의 EBL은 더 높은 정공 농도와 방사 재결합 속도를 얻을 수 있다. 이는 EBL 중간의 샌드위치 층이 정공 가속 영역을 형성하여 정공이 가속 영역에서 에너지를 얻어 정공 주입 효율을 높이기 때문이다. 또한, 다중 양자 장벽 구조는 전자 장벽을 높여 전자 누설을 효과적으로 억제함으로써 소자의 성능을 크게 향상시킨다. 종합적으로, 다중 양자 우물 전자 차단층의 도입은 AlGaN 기반 DUV-LED 소자의 성능을 현저히 향상시킬 수 있다.
关键词
AlGaN;심자외선 발광 다이오드;전자 차단층
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