고온 고상법으로 NaYSiO₄∶xCe³⁺ (0.01≤x≤0.05) 계열의 청색 형광체를 합성하였다. NaYSiO₄∶xCe³⁺ 형광체는 250~360 nm 사이의 넓은 흡수 밴드를 가지며 자외선 LED 칩과 잘 맞는다. NaYSiO₄∶xCe³⁺ 형광체 내에는 여러 Ce³⁺ 이온 발광 중심이 존재하며 자외선 조사 시 약 414 nm 부근에서 피크가 나타나는 넓은 청색 발광을 보인다. NaYSiO₄∶0.02Ce³⁺ 형광체는 300~350 nm 자외선 조사 시 양자 효율이 25% 이상이다. NaYSiO₄∶0.02Ce³⁺ 형광체는 우수한 화학적 안정성을 가지며, 14일간 물에 담근 후 형광 강도와 양자 효율이 거의 변하지 않는다. NaYSiO₄∶0.02Ce³⁺ 청색 형광체, 상업용 (Sr, Ba)₂SiO₄∶Eu²⁺ 녹색 형광체 및 상업용 (Ca, Sr)AlSiN₃∶Eu²⁺ 적색 형광체를 310 nm 자외선 LED 칩 위에 도포하여 95에 달하는 고연색지수의 LED 소자를 제작하였다. 구동 전류가 50 mA에서 300 mA로 서서히 증가할 때 제작된 LED 소자는 안정적인 따뜻한 백색광을 방출하며 색 좌표는 거의 변하지 않는다. 위 결과는 본 연구에서 보고한 NaYSiO₄∶0.02Ce³⁺ 청색 형광체가 자외선 LED 칩 구동 백색 발광 다이오드 조명에 잠재적 응용 가치를 가짐을 시사한다.

NaYSiO₄：Ce³⁺; 고온 고상법; 청색 형광체; 백색 발광 다이오드; 고연색지수