GaN 기반 다중 양자 우물 LED의 정공 주입 효율을 향상시키기 위해 서로 다른 최종 장벽층 구조를 가진 GaN 기반 다중 양자 우물 에피택시 구조를 설계하고 이를 녹색 미니 LED 발광 칩으로 제조하였다. 저온 전기발광 스펙트럼과 전류-전압 특성 테스트를 이용하여 캐리어 전달 메커니즘을 연구하였다. 결과는 AlGaN 또는 GaN/AlN 최종 장벽층을 사용하는 샘플에서 더 많은 캐리어가 깊은 양자 우물로 전달될 수 있어 정공 주입 효율이 향상됨을 보여준다. 본 논문은 이 현상에서 캐리어 운송 메커니즘과 V 홈 결함의 역할을 연구하였으며, 이러한 향상이 주로 V 홈을 통한 정공 주입 비율 증가에서 기인함을 발견하였다. 실험 결과 과도한 V 홈 주입 비율은 비복사 재결합률을 증가시켜 AlGaN 최종 장벽층 샘플의 전기광 변환 효율을 억제한다는 것도 확인하였다.

발광 다이오드; 최종 장벽층; 정공 주입; InGaN/GaN 다중 양자 우물; V 홈