Na⁺, In³⁺, Ge⁴⁺ 단일 또는 공동 첨가된 LiScSi₂O₆∶Cr³⁺ 형광체가 고온 고체상법으로 제조되었으며, 확산 반사 분광법, 광 유도 여기 및 방출 분광법, 양자 효율 테스트 등을 통해 광 흡수 및 광 유도 발광 특성이 연구되었다. 실험 결과 Na⁺, In³⁺, Ge⁴⁺ 단일 이온 첨가가 460 nm 청색광에 대해 LiScSi₂O₆∶Cr³⁺ 형광체의 흡수를 향상시킬 수 있으며, 다위치 양이온 공동 첨가는 광 흡수 능력을 더 강화하여 흡수 효율을 초기 50.5%에서 60.9%로 증가시켰다. 다위치 이온 단일 또는 공동 첨가는 Cr³⁺가 점유하는 팔면체 구조의 변형 정도가 증가하여 광 흡수가 강화되었다. 최적화된 형광계 LiSc_0.4In_0.6Si_1.6Ge_0.4O₆∶Cr³⁺의 근적외선 발광 피크 파장은 860 nm이고, 반치폭은 160 nm이며, 내부 및 외부 양자 효율은 각각 72.5% 및 41.8%이다. 패키징된 형광 변환형 LED 장치는 100 mA 구동 전류에서 근적외선 출력 광 출력이 63.1 mW이고, 근적외선 전기광 변환 효율은 22.3%로 우수한 근적외선 발광 종합 성능을 보였다. 본 연구는 Cr³⁺ 활성화 근적외선 형광체의 광 흡수를 향상시키는 효과적인 방법을 제공한다.

근적외선 형광체; Cr³⁺ 활성화; 다위치 첨가; 광 흡수 조절