금속 할라이드 페로브스카이트 재료는 우수한 광전 특성으로 인해 발광 다이오드 제작에 사용될 수 있어 최근 많은 주목을 받았습니다. 페로브스카이트 표면과 페로브스카이트/전달층 계면에는 많은 결함이 존재하여 장치의 성능과 안정성에 심각한 영향을 미치며, 표면/계면에 대한 효과적인 패시베이션 처리는 계면 결함을 줄이고 장치 성능을 향상시키는 실용적인 방법입니다. 본 논문에서는 추출제에 구아니딘 아세테이트를 첨가하는 표면 처리 전략을 보고하였으며, 이는 페로브스카이트 층 표면 결함을 효과적으로 감소시키고 박막 형태를 개선하여 페로브스카이트 박막의 형광 양자 효율을 64%에서 79%로 향상시켰습니다. 구아니딘 아세테이트 표면 처리 기반 페로브스카이트 박막으로 제조된 발광 다이오드는 최대 효율 11.66%와 최대 휘도 1285 cd·m^-2를 달성했으며, 처리하지 않은 참조 장치(6.69%, 689 cd·m^-2)보다 현저히 우수하고 더 나은 안정성을 나타냈습니다. 본 연구는 페로브스카이트 발광 다이오드의 성능과 안정성을 향상시킬 수 있는 효과적인 페로브스카이트 표면 처리 전략을 제공합니다.

페로브스카이트;발광 다이오드;표면 처리;준 이차원;결함 패시베이션