摘要
β⁃Ga2O3는 초광대역 밴드갭, 높은 항복 전계강도, 비교적 높은 발리가 값 등의 장점으로 인해 고출력 전자 소자, 가스 센서, 가시광선에 둔감한 자외선 검출기 등에서 큰 응용 잠재력을 지닌 신흥 반도체 재료이다. 그러나 p형 도핑의 어려움이 β⁃Ga2O3 발전의 큰 장애물로 작용하고 있다. 본 논문에서는 먼저 β⁃Ga2O3의 장점을 간략히 개괄하고, 결정 구조와 기본 특성을 소개한다. 다음으로 β⁃Ga2O3의 고유 결함, 특히 산소 공석이 전도성에 미치는 영향을 설명한다. 그리고 β⁃Ga2O3 p형 도핑 연구 현황을 상세히 논의하며, p형 도핑 어려움의 원인, N 도핑, Mg 도핑, Zn 도핑, 기타 수용자 원소 도핑, 두 원소 공동 도핑 및 기타 방법을 포함한다. 마지막으로 β⁃Ga2O3의 미래 발전 방향을 정리하고 전망한다.
关键词
β-Ga2O3;고유 결함;p형 도핑;광대역 반도체;반도체
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