Li（Sc, M）Si2O6∶Cr3+（M = Ga3+/Lu3+/Y3+/Gd3+）의 근적외선 발광 특성

LU Ziwei ,  

LIU Yongfu ,  

LUO Zhaohua ,  

SUN Peng ,  

JIANG Jun ,  

摘要

형광 변환형 근적외선 발광 다이오드(NIR pc⁃LED)는 소형, 넓은 스펙트럼 대역, 조절이 용이한 피크 위치 등의 장점이 있어 차세대 NIR 광원 개발의 최전선에 있습니다. 핵심은 청색광에 의해 효과적으로 여기될 수 있는 고효율 광대역 근적외선 형광체를 개발하는 것입니다. LiScSi2O6∶Cr3+ 형광 재료의 여기 파장은 460 nm, 발광 피크 위치는 845 nm, 스펙트럼 대역폭은 156 nm, 내부 양자 효율은 64.4%입니다. 본 연구에서는 M 이온(M = Ga3+, Lu3+, Y3+, Gd3+)이 Sc3+를 대체하는 방식으로 성능 조절을 진행했습니다. 결과는 M 이온 도입이 이종상 형성 또는 상전이를 유발하여 재료의 발광 성능을 저하시킨다는 것을 보여줍니다. 본문에서는 결정 구조를 바탕으로 조절 과정을 분석했습니다.

关键词

LiScSi2O6∶Cr3+; 양이온 치환; 결정 구조

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