초발광 발광 다이오드는 광섬유 자이로스코프의 핵심 부품으로서 그 성능은 광섬유 자이로스코프의 정확도에 직접적인 영향을 미친다; 초발광 발광 다이오드의 출력 광파워가 높을수록 광섬유 자이로스코프의 수신 신호 신호대 잡음비가 더 좋다. InP/AlGaInAs 이득 재료는 높은 전자 억제 효율이라는 장점을 가지고 있으나, Al 원소가 산화되기 쉬워 응용 신뢰성 문제에 직면해 있다. 본 논문에서는 이득 재료로 InP/InGaAsP를 사용하여 외연 구조에 넓은 밴드갭 전자 차단층을 도입하여 양자 우물의 전자 억제 효율을 향상시켰다. 실험 결과 레이저 칩의 최대 출력 광파워가 69 mW에서 92 mW로 향상되었다. 이를 바탕으로 재료 증착 속도를 최적화하여 이득 영역과 변형 전자 차단층의 재료 품질을 개선하였다. 결과는 레이저 칩의 신뢰성이 상당히 개선되었음을 보여주며, 1000시간 수명 노화 후 임계치 및 전력 변화율이 허용 범위 내에 있음을 확인하였다. 마지막으로 초발광 발광 다이오드 칩 제작을 진행하였다. 테스트 결과 전자 차단층으로 인해 상온에서 SLD 칩의 포화 출력 광파워가 19 mW에서 24 mW로 증가했으며, 포화 동작 전류도 향상되었고, 스펙트럼 폭은 80 nm에 도달했으며, 스펙트럼 중심 파장은 약 1500 nm 근처였다; 칩은 1000시간 수명 노화 후 임계치와 광출력 변화가 안정적이며, 성능 저하 샘플은 나타나지 않았다.

초발광 발광 다이오드;InP/InGaAsP;전자 차단 구조;재료 성장 속도