방사선 보정 계수는 반도체 레이저의 중요한 물리적 파라미터로서, 장치 성능을 밝히는 데 중요한 역할을 해왔다. 본 논문에서는 방사선 보정 계수를 측정하는 실험적 방법을 제안하였으며, 이 방법을 이용하여 980 nm InGaAs/GaAs 양자우물 구조의 방사 특성을 연구하였다. 이 방법은 InGaAs/GaAs 측면 방출 구조 양쪽에서 방사되는 광발광(PL) 스펙트럼을 수집하고, 구축된 이론식을 이용하여 다양한 주입 캐리어 농도에서 해당 구조의 방사선 보정 계수를 얻었으며, 평균 변동 범위는 약 7.16×10^10 ~ 3.36×10^11 W^-1·eV^-1·s^-1이다. 마지막으로 고체 모델 이론과 캐리어 채움 규칙을 이용해 결과를 분석하였으며, 다양한 열 평형 상태에서 비평형 캐리어 에너지 밴드 채움 수준과 전자 및 정공의 준페르미 준위 변화 규칙을 밝혀냈다. 이 연구는 방사선 보정 계수를 측정하는 새로운 방법을 제안하였으며, 발광 재료의 방사 메커니즘을 밝히고 레이저 발전을 촉진하는 데 중요한 연구 가치를 갖는다.

InGaAs/GaAs;방사선 보정 계수;광발광 스펙트럼;에너지 밴드 채움 수준