摘要
불화수소(HF) 현장 주입법을 사용하여 InP/GaP/ZnS 양자점을 제조하였다. HF가 InP 양자점의 발광 성능에 미치는 영향을 자외선/가시광선/근적외선 분광학, 광발광 분광법, 투과 전자 현미경, 수차 보정 투과 전자 현미경, X선 회절, X선 광전자 분광법 등 다양한 분석법으로 조사하였다. 실험 결과, HF 에칭이 양자점 표면의 산화 결함 상태를 감소시키고 InP 핵 표면의 산화를 효과적으로 제어하며, 원자 리간드 형태의 F- 이온이 양자점 표면의 비활성 결합을 패시베이션하여 양자점의 광학적 성능을 현저히 향상시키는 것을 확인하였다. HF 처리된 InP/GaP/ZnS 양자점은 최대 96%의 높은 광발광 양자 효율(PLQY)을 지니며 최고의 발광 성능을 보였다. 또한 HF 처리된 InP/GaP/ZnS 양자점을 사용하여 제작한 발광 다이오드는 6.63 cd/A의 전류 효율과 3.83%의 최대 외부 양자 효율(EQE)을 나타냈다.
关键词
HF;InP/GaP/ZnS 양자점;광학적 특성;발광 다이오드
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