열증발법은 페로브스카이트 발광 다이오드의 상업적 디스플레이 응용을 위한 신뢰할 수 있는 기술입니다. 그러나 열증발 증착된 페로브스카이트 박막의 광양자 효율(PLQY)은 종종 낮고, 패시베이션 수단은 용액법만큼 다양하지 않습니다. 본 논문에서는 인시투 공동 증발 기술을 통해 페로브스카이트 층에 패시베이터를 도입하는 방법을 보고하며, 이 방법은 진공 증착된 페로브스카이트 내 결함을 패시베이션하여 복사 재결합을 강화하고 페로브스카이트의 PLQY를 향상시킵니다. 인산염 기는 불포화 부위와 배위 착물을 형성하여 페로브스카이트 결정립계 결함을 패시베이션하고 밴드 꼬리 상태 결함을 억제합니다. 최적 비율의 페로브스카이트 박막 기반으로 제작된 LED 소자는 최대 6.3%의 외부양자효율(EQE)과 최대 35,642 cd/m²의 최대 광도를 보였습니다. 더 나아가 완전 진공 기반의 소자 제작 공정을 통해 최대 EQE 5.0%의 312 ppi 고해상도 PeLED를 얻었습니다. 요약하면, 본 논문은 열증발 PeLED의 결함 패시베이션에 유용한 지침을 제공하며, 효율과 광도 향상에 큰 잠재력을 가지고 있음을 증명하고 상업화 전망을 갖추고 있습니다.

페로브스카이트 발광 다이오드;열증발;결함 패시베이션;픽셀화