위조 방지 기술의 향상은 국가 안보와 사회 안정에 관련되며, 현대 사회의 정보 보안 분야에서 매우 중요합니다. 광 저장 형광 재료는 비용이 저렴하고 해상도가 높으며 반응 속도가 빠르다는 특징으로 인해 위조 방지 분야에서 큰 장점을 보여주고 있습니다. 그러나 형광 재료의 위조 방지 모드가 단일하며, 자극 파장에 대한 요구가 높다는 일련의 문제들이 실제 적용을 다소 제한하고 있습니다. SrAl₂O₄∶Eu²⁺, Dy³⁺ (SAO∶Eu²⁺, Dy³⁺)는 가장 성공적인 장시간 지속 발광 재료로서, 약광 조명, 발광 도료 및 도로 표지판 등 분야에서 광범위하게 활용되고 있습니다. 그 장시간 지속 발광 현상은 상온에서 열적 교란에 의해 전하 운반자가 방출되는 과정에 기인하며, 효과적인 함정의 수와 농도에 의존합니다. 따라서 이 재료 내 함정 구축은 광 저장 관련 성능을 효과적으로 확장하여 지속적인 관심을 받고 있습니다. 본 논문에서는 광 저장 형광 재료 SAO∶Eu²⁺, Dy³⁺에 Tm³⁺ 이온을 도입하여 함정 밀도 및 구조를 조절함으로써 얕은 함정 밀도를 줄이는 동시에 깊은 함정 농도를 증가시키고, 이에 따라 함정 내 전하 운반자의 저장 및 방출 과정을 효과적으로 제어할 수 있음을 보였습니다. 980 nm 근적외선 레이저에 의한 깊은 함정의 전하 운반자 방출은 다시 얕은 함정에 의해 포획될 수 있어, 뚜렷한 광자극 장시간 지속 발광 발광을 나타냅니다. 이를 바탕으로 본 연구는 온도 및 시간 차원의 다중 모드 위조 방지 기술을 탐구하여 이진 부호의 읽기 및 쓰기를 실현하였습니다. 따라서 본 연구는 SAO∶Eu²⁺, Dy³⁺의 함정 조절을 통해 동적 위조 방지 및 광학 정보 저장을 실현하여, 이 형광 재료의 정보 보안 분야 응용을 확장합니다.

광자극 발광; 장시간 지속 발광; 광학 저장; 광자극 유도 장시간 지속 발광