摘要
InGaAs/AlGaAs 다중 양자우물(MQWs)은 III-V족 에피택시 재료로, 반도체 레이저 및 태양전지 분야에서 일반적으로 사용됩니다. 그러나 양자우물의 우물층과 장벽층의 성장 온도가 다르고, 인듐 원자의 분리 및 다중 양자우물의 성장 품질 문제 등이 아직 잘 해결되지 않았습니다. 본 논문에서는 갈륨 비소(GaAs) 재료를 삽입층(ISL)으로 설계하여 InGaAs/AlGaAs MQWs 구조에 적용하였습니다. PL, XRD, AFM 테스트 결과 GaAs 삽입층은 MQWs 구조에서 더 많은 방사 복합을 보장하고, 인듐 원자의 분리를 방지함을 보여주었습니다. 하지만 GaAs 삽입층 도입은 "국소 상태"를 생성하여 양자우물의 발광 특성에 영향을 미칩니다. 본 연구는 InGaAs/AlGaAs 다중 양자우물의 방사 복합 메커니즘에 대한 이해를 심화시킬 수 있으며, GaAs 삽입층이 도입된 InGaAs/AlGaAs 다중 양자우물의 발광 특성 연구에 중요합니다.
关键词
InGaAs/AlGaAs 다중 양자우물; 국소 상태; 삽입층; 금속 유기 화학 기상 증착(MOCVD)
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