摘要
산화아연(ZnO)은 우수한 전자 전달 재료로서 고성능 양자점 전기발광 소자(QLED)에 널리 사용됩니다. 그러나 ZnO 층의 높은 전하 전달 속도로 인해 소자 내에 과도한 전자 주입이 발생하여 소자 내부의 전하 운반체 불균형이 생겨 소자의 효율을 저하시킵니다. 또한 ZnO의 흡습성으로 인해 ZnO와 전극 간의 접촉이 외부 환경(수분 및 산소)의 영향을 쉽게 받아 소자의 저장 안정성에 영향을 미치며, 이는 역구조 QLED에서 특히 두드러집니다. 이러한 문제를 해결하기 위해, 우리는 MoO3/ZnO를 전하 생성층(CGL)으로 사용하여 역구조 QLED를 제작하였습니다. 이 구조는 소자의 전하 운반체 불균형 문제를 개선하여 최대 전류 효율을 12.8 cd/A에서 15.7 cd/A로 향상시켰습니다. 또한 CGL은 전극에서 전하 주입이 필요 없으며 전기장에 의해 전하를 생성하여 발광층에 주입하므로 전극 계면이 소자 성능에 미치는 영향을 줄여 소자의 안정성을 크게 향상시켰습니다.
关键词
전하 생성층; 전하 저장; 오버슈트; 과도 전기발광
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