ZnO 광대역 반도체 자외선 광전 검출기는 안정성이 높고 비용이 저렴한 등 여러 장점을 가지며, 국방, 의료, 환경 모니터링 등 분야에서 중요한 응용 전망을 가지고 있습니다. 본 논문에서는 RF 마그네트론 기술을 사용하여 SiO₂ 기판 위에 ZnO 박막을 제작하였고, 이를 바탕으로 고이득 금속⁃반도체⁃금속(MSM) 구조의 ZnO 자외선 광전 검출기를 얻었습니다. 10V 바이어스 전압 하에서 검출기의 응답도와 외부 양자 효율은 각각 4.90 A/W와 1668%였습니다. 이는 광조사 시 반도체와 금속 계면에서의 정공 포획으로 인한 고이득 현상 때문입니다. 또한, 이득 효과, 인가 바이어스 및 소모층 폭이 ZnO 자외선 광전 검출기의 응답도에 미치는 조절 법칙과 영향 메커니즘을 연구하여 고성능 자외선 광전 검출기의 제작 및 성능 조절에 중요한 참고자료를 제공하였습니다.

ZnO;자외선 광전 검출기;응답도;이득 효과;소모층