용액법으로 합성한 Cs₃Bi₂I₉ 전구체 용액을 기반으로 BiI₃를 첨가하여 Cs₃Bi₂I₉ 용액을 수정하는 방법으로 Cs₃Bi₂I₉/BiI₃ 박막을 얻었으며, 자체 에너지 공급 특성을 가진 Cs₃Bi₂I₉/BiI₃ 박막 광전기화학형 탐지기를 제작하였다. 결과는 첨가된 BiI₃가 Cs₃Bi₂I₉ 박막 내에서 제2상 형태로 존재하며, 이중상 혼합 구조를 형성함을 보여준다. 자외선(365 nm) 단색광 조사 하에서 Cs₃Bi₂I₉/BiI₃ 탐지기의 스위치 비율은 3,198에 달하며, 응답도와 검출률은 각각 2.85×10^-3 A/W와 3.77×10¹⁰ 존스이다. 녹색광(530 nm) 단색광 조사 시 Cs₃Bi₂I₉/BiI₃ 탐지기의 스위치 비율은 1,172에 도달하고, 응답도와 검출률은 각각 6.9×10^-4 A/W와 1.76×10¹⁰ 존스를 나타내며, 동시에 적색 파장대(625 nm)에서도 우수한 반응을 보인다. Cs₃Bi₂I₉ 탐지기에 비해 Cs₃Bi₂I₉/BiI₃ 소자의 탐지 성능이 크게 향상되었으며, 이는 BiI₃에 의한 비복사 결함 수동화 효과 때문으로 분석된다. 본 연구는 Cs₃Bi₂I₉를 광전기화학형 구조 탐지기에 적용한 첫 시도로, BiI₃의 수정을 통해 소자의 성능을 성공적으로 향상시켰으며, 저독성 비스무트 기반 페로브스카이트의 광전 탐지 응용 성능 향상을 위한 새로운 아이디어를 제공한다.

Cs₃Bi₂I₉;광전기화학형 탐지기;자체 에너지 공급 탐지;BiI₃;제2상