페로브스카이트 양자점(PQDs)은 높은 양자 효율, 조절 가능한 밴드갭, 높은 색 순도 및 낮은 비용 등의 장점으로 광전 분야에서 좋은 응용 전망을 가지고 있습니다. 그러나 낮은 안정성은 페로브스카이트 양자점의 응용을 저해합니다. 본 연구에서는 실온 조건에서 CsPbₓSn₁₋ₓBr₃/a-ZrP PQDs를 합성하였으며, 이는 기존 CsPbBr₃ PQDs에 비해 더 우수한 광학적 성능과 안정성을 나타냅니다. a-ZrP의 Pb²⁺에 대한 선택적 흡착 특성과 Cs⁺ 이온 교환 능력으로 인해 양자점이 a-ZrP 표면에 흡착 고정되는 것이 촉진됩니다. 따라서 합성된 CsPbₓSn₁₋ₓBr₃/a-ZrP PQDs는 더 높은 엑시톤 결합 에너지와 더 강한 환경 안정성을 가집니다. 본 복합 재료는 안정적이고 효율적인 페로브스카이트 양자점 생산을 위한 실용적인 방법을 제공하며, CsPbₓSn₁₋ₓBr₃/a-ZrP PQDs가 고효율 하향 변환 형광 재료로서 고효율 발광 다이오드 제작에 활용될 수 있음을 보여줍니다.

페로브스카이트;양자점;흡착;Sn²⁺ 도핑;형광 증강;백색 발광 다이오드 (WLED)