금속 할라이드 페로브스카이트 재료는 높은 광발광 양자 효율, 높은 색 순도, 가변 파장 및 용액 가공 가능성과 같은 우수한 특성으로 인해 최근 몇 년간 발광 다이오드, 태양전지, 레이저, 검출기 등 반도체 장치 제조에 널리 사용되고 있습니다. 그중 납 기반 페로브스카이트 발광 다이오드(Perovskite light emitting diode, PeLED)의 외부 양자 효율은 28%를 돌파했습니다. 그러나 중금속 납의 독성은 대규모 생산 및 상업화 발전을 저해하고 있습니다. 따라서 고성능 무납 PeLED 개발이 새로운 연구 핫이슈가 되었으며, 차세대 디스플레이 및 조명 분야에서 중요한 응용 전망을 보여주고 있습니다. 본문에서는 무납 PeLED의 구현 및 연구 진전을 종합적으로 검토하였으며, 먼저 무납 페로브스카이트 재료 특성, 장치 구조, 발광 기제 등 관련 기본 개념을 소개하였고; 무납 페로브스카이트 재료 종류 측면에서 회전 코팅법, 열 주입법, 리간드 보조 재침전법, 기상 증착법 등 무납 페로브스카이트 제조 방법을 설명하였으며; Sn 기반, Bi 기반, Sb 기반, Cu 기반 등 고성능 무납 PeLED 구현 방법을 재료 선택, 구조 설계, 장치 성능, 작동 기제 및 발광 과정 분석을 포함하여 요약하였으며; 마지막으로 무납 PeLED가 현재 직면한 도전과 미래 발전 기회를 논의하였습니다.

발광 다이오드;페로브스카이트;무납;성능