금속 할라이드 페로브스카이트(MHP)는 신흥 반도체 재료로서 현재 광전자 응용 분야에서 우수한 성능을 보여주고 있습니다. 그 중 MHP 기반 발광 다이오드(PeLED)는 빠르게 발전하고 있으며, 적색 및 녹색 장치의 효율은 상용 수준에 도달했습니다. 그러나 청색 PeLED의 효율은 적색 및 녹색 장치에 비해 여전히 크게 뒤처져 있어, PeLED가 전색 디스플레이 분야에 적용되는 것을 크게 저해하고 있습니다. 본 논문에서는 혼합 할로겐 음이온의 비율과 준 2차원 페로브스카이트 조성을 조절하여 차원 조절 기반 준 2차원 청색 PeLED 제조를 구현하였습니다. 먼저 CsPbBr₃∶PEABr 준 2차원 페로브스카이트에서 페닐에틸아민 클로라이드(PEACl)를 페닐에틸아민 브로마이드(PEABr)로 점진적으로 대체하여 발광 피크를 502 nm에서 476 nm로 조절하였습니다. 그러나 PEACl이 증가함에 따라 박막 내 결함 및 n = 1 저차원상이 점차 증가하여 소자의 효율이 감소하였습니다. 우리는 CsPbBr₃∶PEACl 준 2차원 페로브스카이트에 구아니디늄 브로마이드(GABr)를 도입하여 n = 1 저차원상을 유의미하게 억제하였으며, 이는 엑시톤 에너지 전달에 유리하여 최종적으로 청색 범위 내 준 2차원 PeLED의 성능을 크게 향상시켰습니다. 본 연구는 고효율 청색 PeLED 구현을 위한 새로운 방향을 제시합니다.

페로브스카이트 발광 다이오드;차원 조절;청색광;PEACl 도핑;GABr 도핑