摘要
칩 상 집적 광원은 광통신 분야에서 지속적으로 연구되는 중요한 주제입니다. 인듐 인화물(InP) 재료는 통신 대역 광원 구축에 이상적인 재료입니다. 본 논문에서는 표준 반도체 공정을 이용하여 InP 기판 위에 원판형 마이크로 캐비티 발광 소자를 제작하였습니다. 네 가지 크기의 원판형 마이크로 캐비티 발광 다이오드를 제작하여 크기가 소자의 성능, 즉 광 강도, 반치폭, 중심 파장 이동 등의 매개변수에 미치는 영향을 연구하였습니다. 본 연구는 전기 구동 광원 제작 및 통신 대역 광통신 구현에 중요한 의미를 갖습니다.
关键词
인듐 인화물;발광 다이오드;원판 마이크로 캐비티;스펙트럼 조절
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