금속유기화학 기상증착 기술을 이용해 c면의 블루 사파이어 기판 위에 갈륨 산화물 박막을 성장시킨 후, 포토리소그래피, 박리, 전자빔 증착 기술을 통해 갈륨 산화물 박막 표면에 비대칭 포크형 전극을 제작하였다. 이때 Pt/Au는 쇼트키 전극으로, Ti/Al/Ni/Au는 오믹 전극으로 사용되었으며, 우수한 오믹 접촉을 실현하고 계면 내 전하 운반자 주입 효율을 향상시키기 위해 Ti/Al/Ni/Au 증착 후 샘플을 어닐링 처리하였다. 관련 결과는 Pt/β⁃Ga₂O₃ 쇼트키 광다이오드가 우수한 심자외선 검출 성능을 갖고 있음을 보여준다. -5 V 바이어스에서 감도와 외부 양자 효율은 각각 3.4 A/W와 1.66×10³%이다. 검출기의 검출도는 10¹³ Jones에 달해 약한 신호 검출 능력이 뛰어남을 나타낸다. 또한 감도와 외부 양자 효율은 광 세기가 증가함에 따라 감소하는데, 이는 높은 광생성 전하 운반자 농도가 전자-정공 쌍의 재결합 확률을 증가시키기 때문이다. 자체 구동 모드에서 Pt/β⁃Ga₂O₃ 쇼트키 광다이오드는 빠른 응답 속도를 보이며 감도는 2.69 mA/W이다. 또한 검출기는 -100 V 및 +100 V의 고전압에서도 안정적으로 작동하여 우수한 고전압 안정성을 지님을 나타낸다.

갈륨 산화물; 쇼트키 광다이오드; 자외선 검출; 자체 구동