摘要
p⁃AlGaN 표면에 Ni/Au/Ni/Au 투명 전극 시스템을 증착하고, 전송선 모델을 통해 어닐링 온도가 Ni/Au/Ni/Au와 p⁃AlGaN 재료의 접촉 특성에 미치는 영향을 연구했다. 결과는 Ni/Au/Ni/Au 금속 시스템을 사용한 AlGaN 기반 심자외선 LED가 600 ℃ 공기 분위기에서 3분간 어닐링할 때 p형 반도체 재료 NiO를 형성함을 보여준다. Ni/Au/Ni/Au 시스템의 금속 두께를 최적화하여 각 층의 두께를 20/20/20/20 nm에서 2/2/5/5 nm로 줄이고, 600 ℃ 공기 분위기에서 3분간 어닐링한 결과 p⁃AlGaN 재료와의 접촉 저항률이 3.23×10^-1 Ω·cm²에서 2.58×10^-4 Ω·cm²로 감소했다. 최적화된 Ni/Au/Ni/Au 시스템을 사용한 심자외선 LED 소자는 광전 특성이 향상되었다. 150 mA 구동 시 동작 전압은 5.8 V로 낮아졌으며, 전극 투과율 향상을 통해 광 출력 파워가 18.9% 증가했다.
关键词
UV-LED;AlGaN;NiAu;옴 접촉
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