고변형 InGaAs/GaAs 다중 양자우물 내 존재하는 국소 상태 문제를 해결하기 위해 금속유기화합물 기상 증착법(MOCVD) 기술을 이용하여 5주기의 In0.3Ga0.7As/GaAs 고변형 다중 양자우물 소재를 설계하고 성장시켰다. 원자력 현미경(Atomic force microscope, AFM)과 온도변화 광발광(Photoluminescence, PL) 테스트를 통해 양자우물 내부의 결함 및 구성 변동으로 인한 재료 무질서 현상을 발견하였으며, 다중 양자우물 내부 국소 상태의 존재 및 기원을 검증하였다. 또한 서로 다른 테스트 위치에서 낮은 온도에서 국소 상태가 분광에 미치는 영향이 이중봉 분포와 피크 위치의 “S”형 변화를 각각 나타냄을 발견하였다. 이는 재료 내부 무질서 정도가 다름에 따라 국소 상태의 깊이도 다름을 추가로 시사한다. 온도-띠틈 관계의 피팅을 기반으로 국소 상태를 포함한 다중 양자우물 소재의 전위 분포를 제안하였고, 국소 상태 전하 운반자와 자유 전하 운반자의 재결합 메커니즘을 밝혀냈다. 또한 가변 세기 PL 테스트를 통해 다양한 깊이의 국소 상태 발광 특성을 서로 다른 여기 세기 밀도 하에서 연구하였다.

InGaAs/GaAs 다중 양자우물; 국소 상태; 고변형; 금속유기화합물 기상 증착법(MOCVD)