금속 할로겐화물 페로브스카이트 태양전지는 이미 25.7%의 인증된 광전 변환 효율을 달성했으며, 이는 결정질 실리콘 태양전지의 최고 인증 효율인 26.7%에 근접한 수치입니다. 잘 알려진 바와 같이, ABX₃ 페로브스카이트 소재의 결정 구조 구성 요소 조정은 효율적이고 안정적인 소자를 실현하는 데 중요한 역할을 하며, 특히 최근 몇 년간 연구자들이 널리 주목한 X 위치 할로젠 음이온 구성 요소 조정이 중요합니다. 최근 연구자들은 페로브스카이트 결정의 도핑 성분, 전구체 첨가제, 박막 후처리 소재, 전하 운반 소재, 계면 패시베이터 및 개질제로서 가짜 할로젠 음이온을 도입하는 여러 연구를 수행했으며, 결과적으로 가짜 할로젠 이온 수정이 소자의 효율과 안정성을 향상시키는 중요한 전략임을 입증했습니다. 본 총괄 리뷰에서는 현재 페로브스카이트 태양전지에 사용 가능한 다양한 유형의 가짜 할로젠 이온을 상세히 비교 및 요약하고, 이들이 페로브스카이트 결정 박막의 형태, 광전자 특성, 전하 운반 특성, 소자의 광전 특성 및 안정성에 미치는 영향의 심도 있는 메커니즘과 본질을 종합적으로 정리합니다. 동시에 본 논문은 아직 탐구되지 않은 가짜 할로젠 이온들에 대한 전망과 분석도 제시하여 향후 연구에서 페로브스카이트 태양전지의 광전 특성 향상을 효과적으로 촉진할 수 있기를 기대합니다.

가짜 할로젠 이온; 구성 요소 공학; 페로브스카이트 태양전지; 결함 패시베이션