기질 재료에 따라 Bi³⁺ 이온은 심자외선, 가시광선 및 근적외선 영역에서 발광할 수 있으며, 다양한 발광 재료에서 활성 이온으로 자주 사용됩니다. Bi³⁺ 도핑된 에너지 준위 구조 및 발광 메커니즘 연구는 신형 발광 재료의 설계 및 성능 개선에 도움이 됩니다. 본 논문에서는 최근 수행된 일원리 계산 관련 방법과 결과를 분석·정리하고, Bi³⁺ 도핑계의 바닥 상태 및 여기 상태의 국소 구조와 전자 구조의 공통점을 논의하였습니다. 위치 좌표 도표를 활용하여 이러한 재료의 여기, 이완 및 방출 동역학 과정을 분석·토론하였습니다. 연구된 여기 상태는 주로 Bi³⁺의 6s¹6p¹ 전자 배치, 리간드-도핑 이온 전하 이동 상태 6s²6p¹와 결합된 정공, 금속-금속 전하 이동 상태 6s¹와 결합된 전자, 그리고 이온 쌍 간 전자 이동으로 형성된 Bi²⁺-Bi⁴⁺ 이온 쌍 등 4가지 유형을 포함합니다. 본문은 Bi³⁺ 분광학적 특징의 실험적 지시를 바탕으로 다양한 발광 과정의 물리적 이미지 및 이론적 기술을 종합하여, 여러 대표 사례를 통해 이론 및 계산이 실험 현상 분석과 지시에 미치는 역할을 보여줍니다. 또한 발광 중심 국소 구조, 기질 밴드갭, 결함 준위 등과 Bi³⁺ 이온 발광 특성 간의 관계도 간략히 논의합니다.

일원리;Bi³⁺ 이온;광발광;여기 상태