WO₃/ZnO를 전하 생성층(CGL)으로 사용하여 역구조의 양자점 전기발광 장치(QLED)를 제조했습니다. 단일층 ZnO를 전자 수송층으로 사용하는 기존 QLED와 비교하여 CGL-QLED의 전류 효율이 약 30% 향상되었습니다. 이는 주로 CGL의 전자 주입이 전기장 의존 특성을 가지고 있어 장치 내 전하 주입이 보다 균형을 이루고, 엑시톤 형성 효율이 향상되며, 전하 운반자에 의한 소멸 과정을 억제하기 때문입니다. 또한, 순간 전기발광 분광 기술 및 정전 용량 특성 테스트를 통해 CGL 기반 QLED의 동작 메커니즘을 분석한 결과, CGL에 다량의 전하 운반자가 저장되어 펄스 전압 구동 시 발광 오버슈트 현상이 나타남을 확인했습니다. 환경 안정성은 ZnO 기반 기존 장치와 유사합니다. CGL의 독특한 전하 생성 메커니즘으로 인해 전극의 일함수 특성에 의존하지 않는 것도 특징입니다. 이 장치 구조는 장치의 안정성 및 수율 개선에 큰 잠재력이 있다고 믿습니다.

양자점 발광 장치; 전하 생성층; 오버슈트; 전하 저장