롱퍼시스턴스 재료의 깊은 함정은 우수한 에너지 저장 및 방출 성능을 가지므로 광학 정보 저장에 큰 응용 이점을 제공합니다. 본 논문에서는 고온 고상법으로 새로운 황색 롱퍼시스턴스 재료 γ-SrGa₂O₄∶Bi³⁺를 합성하였으며, 그 발광 스펙트럼은 565 nm를 중심으로 400~800 nm 범위의 광대역 발광으로, Bi³⁺ 이온의 ³P₁→¹S₀ 전이에 해당합니다. 자외선 램프 조사 후 γ-SrGa₂O₄∶Bi³⁺ 시료에서 밝은 황색 롱퍼시스턴스 발광이 관찰되었습니다. 열발광 스펙트럼 분석 결과 γ-SrGa₂O₄∶Bi³⁺ 내에 깊이 0.678, 0.838, 0.978 eV인 세 가지 주요 함정이 존재함을 알 수 있었습니다. 0.678 eV의 얕은 함정은 이 재료의 롱퍼시스턴스 현상의 주요 원인이고, 0.838 eV 깊이의 깊은 함정의 열발광 피크 강도는 12시간 후에도 18.6%만 감소하여 깊은 함정 내 전자 방출이 느리다는 것을 나타냅니다. 재료의 깊은 함정 특성을 바탕으로 문자 패턴을 설계하여 광학 정보 저장 실험을 수행한 결과, 본 재료가 정보 저장 분야에 잠재적 응용 가능성이 있음을 보여주었습니다.

정보 저장; γ-SrGa₂O₄∶Bi³⁺; 황색 롱퍼시스턴스; 함정