摘要
320 nm보다 짧은 발광 파장을 가지는 심자외선 발광 재료는 높은 광자 에너지와 실내 환경광 간섭이 없다는 특성을 가지고 있어 광화학 및 광의학 분야에서 중요한 응용 전망을 가지고 있으며, 최근 국내외 학자들의 폭넓은 관심을 받고 있다. 본 논문에서는 고상 합성법을 이용하여 Pr³⁺ 단일 도핑 및 Pr³⁺-Gd³⁺ 공동 도핑된 LiYSiO4∶Pr³⁺ 및 Li(Y,Gd)SiO4∶Pr³⁺ 심자외선 상향 변환 발광 재료를 제조하였다. 450 nm 청색광(레이저 또는 LED) 여기 하에서 각각 C 구역 자외선과 좁은 대역 B 구역 자외선 상향 변환 발광을 구현하였으며, 발광 피크는 각각 280 nm와 313 nm에 위치한다. 청색광 여기 세기가 심자외선 상향 변환 발광 성능에 미치는 영향 규칙을 체계적으로 연구하여 청색광 여기에서의 이광자 상향 변환 발광 물리 메커니즘을 확인하였다. LiYSiO4∶Pr³⁺를 광 변환 층으로 활용하고 청색 LED를 여기원으로 사용하여 새로운 형광 변환형 UVC 광원을 설계 및 구축하였으며, 해당 광원이 실외 광학 위치추적 분야에 적용 가능함을 보였다.
关键词
자외선 상향 변환 발광;자외선 광원;Pr³⁺;Pr³⁺-Gd³⁺;광학 위치추적
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