2,4‑2R‑페닐‑4‑메틸퀴놀린 주 리간드를 수정하여, 페닐의 공간 장벽이 작은 2위치와 4위치에 전자를 주거나 받는 능력을 가진 치환기(메틸, Me 또는 메톡시, MeO)를 도입하여 두 가지 이리듐 인광 착물 (2,4⁃2Me⁃mpq)₂Ir(acac) 및 (2,4⁃2MeO⁃mpq)₂Ir(acac)을 합성하였다. 원소 분석, 핵자기 공명 분광법 및 단결정 X선 회절을 통해 조성 및 화학 구조를 확인 및 특성화하였다. 이들의 광발광 스펙트럼의 방출 파장은 각각 610 nm와 580 nm이며, 광발광 양자 수율은 각각 75%와 80%, HOMO/LUMO 에너지 준위 차이는 각각 2.04 eV와 2.19 eV이다. 순수한 적색 발광 인광 착물 (2,4⁃2Me⁃mpq)₂Ir(acac)을 게스트 물질로 사용하여 ITO / TAPC (30 nm) / CBP:(2,4⁃2Me⁃mpq)₂Ir(acac) (30 nm):x% / TPBi (30 nm) / Liq (2 nm) / Al 구조의 OLED 소자를 제작하고 도핑 농도를 최적화하여, 최적 농도인 10%에서 고효율 적색 OLED 발광을 달성하였다. 소자의 발광 파장은 607 nm, CIE 좌표는 (0.63, 0.37), 최대 휘도는 25,980 cd/m², 전류 효율은 23.11 cd/A, 외부 양자 효율 (EQE)은 최대 20.28%에 달한다.

이리듐 착물;인광 재료;고효율;적색 OLED;발광 성능