시뮬레이션을 통해 이중 파장 적층 c면 InGaN/GaN 다중양자우물(MQWs) 발광 이중극자에서 캐리어 농도, 자발 복합률 및 분극 전장 등을 연구하였다. 결과는 이중 파장 적층 InGaN 다중양자우물의 우물 층과 장벽 층 두께를 조절하여, 특히 양공을 포함한 캐리어의 양자우물 활성 영역 내 분포를 제어하고 이중 파장 발광 피크 비율 변조를 실현할 수 있음을 보여준다. 또한 동일 에피택시 조건에서 성장한 반극성면 InGaN/GaN 적층 양자우물 LED의 발광 특성을 조사하였다. 이를 바탕으로 c면과 ｛1011｝ 또는 ｛1122｝ 반극성면이 혼합된 다중 파장 적층 InGaN/GaN 다중양자우물 구조 기반의 단일 칩 백색 LED 설계안을 제시하였으며, c면 발광 스펙트럼 비율을 조절하여 대다수 가시광선 영역을 커버하고 색온도 4,500~9,000 K 조절 가능하며 최고 연색지수 91.3을 달성할 수 있는 백색광을 얻을 수 있다.

단일 칩 백색 LED; 반극성면; InGaN; 분극 효과