摘要
백색광 발광 다이오드(LED)는 고체 조명에서 널리 사용되며, 청색 형광체는 매우 중요한 역할을 하여 현재 연구의 중심이 되고 있습니다. 본 논문에서는 고온 고상법을 사용하여 KYBaSi2O7∶Bi3+ 청색 형광체를 합성하고 재료의 발광 특성을 연구하였습니다. 결과는 370nm 빛 자극하에서 KYBaSi2O7∶Bi3+이 380~600nm를 덮는 비대칭 광대역 방출을 보이며 주요 피크는 418nm에 위치함을 나타냅니다; Bi3+ 이온의 발광에는 농도 소광 현상이 있으며, 온도가 상승할 때 재료는 우수한 온도 안정성을 보이며 400K에서 초기 강도의 64%를 유지합니다. 또한 이를 상용 형광체 및 370nm 근자외선 칩과 결합하여 백색광 LED를 제조하였으며, 색 좌표는 (0.368 2, 0.398 1), 색 온도는 4463K로 이 재료를 활용하여 근자외선 기반 백색광 LED를 구현할 수 있음을 보여줍니다.
关键词
발광;형광체;KYBaSi2O7∶Bi3+
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