인시튜 성장법을 통해 CuSCN 나노필름 기반 UV 광검출기가 제작되었으며, -1V 바이어스 하에서 입사광이 350nm일 때 CuSCN UV 광검출기의 온오프 비율은 약 94, 응답/복구 시간은 약 1.41초/1.44초였다. 하지만 이러한 소자는 고성능 광검출기로 간주되기 어렵다. CuSCN 나노필름의 광전 성능을 더욱 향상시키기 위해 n-ZnS/p-CuSCN 복합박막 기반 UV 광검출기를 제작하였고, 제작된 샘플에 대해 형태, 조성 및 성능 분석을 실시했다. 결과에 따르면, -1V 바이어스 및 350nm 입사파장 조건에서 ZnS/CuSCN UV 광검출기는 CuSCN UV 광검출기보다 더 높은 광전류 및 더 낮은 암전류를 보여 주었으며, 각기 1.22×10^-5 A와 4.8×10^-9 A였다. ZnS/CuSCN 나노필름 기반 UV 광검출기는 온오프 비 2542, 응답/복구 시간 0.47초/0.48초를 보였고, 350nm 파장에서 최적의 감도와 검출률을 각각 5.17 mA/W와 1.32×10^11 존스로 나타냈다. 또한 n-ZnS/p-CuSCN 복합박막은 실온에서 안정적인 성능을 유지하며 고성능 UV 검출기로서의 가능성을 가지고 있다.

광검출기;p-n 접합;ZnS/CuSCN;온오프비