摘要
In0.49Ga0.51P 재료는 GaAs 결정격자와의 일치 및 넓은 에너지 밴드갭으로 인해 GaAs 기반 단파장 레이저 및 무알루미늄 레이저 연구 분야에서 널리 주목받고 있습니다. 다양한 분야의 응용은 In0.49Ga0.51P 재료의 성능에 다양한 요구를 제기하여 재료의 규칙성이 변하고 이로 인해 발광 특성이 변하게 됩니다. 본 논문에서는 금속유기화학기상증착법(MOCVD) 기술을 이용하여 반절연 GaAs 기판 위에 In0.49Ga0.51P 재료의 규칙성이 발광 특성에 미치는 영향을 연구하였습니다. 실란(SiH4)과 디에틸아연(DEZn) 도펀트의 도핑 유량과 V/III 비율을 조절하여 In0.49Ga0.51P 재료의 규칙성을 변화시켰습니다. 상온 광발광(PL) 및 저온 PL 테스트 결과 두 도펀트 모두의 도핑 유량 증가가 In0.49Ga0.51P의 규칙성을 낮추어 InGaP의 발광 파장이 블루시프트됨을 보여주었습니다. 또한 V/III 비율이 증가하면 In0.49Ga0.51P의 규칙성이 증가하여 시료의 발광 파장이 레드시프트됨을 나타냈습니다.
关键词
금속유기화학기상증착;인듐갈륨인;광발광;의도적 도핑
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