摘要
p형 갈륨 비소(p⁃GaAs) 단결정 기판의 고온 열산화 방법을 통해 β⁃Ga2O3 벌크 박막이 제작되었다. 고온 산화 과정에서 O2 유량이 β⁃Ga2O3 벌크 박막의 형태에 미치는 영향을 탐구하였다. 벌크 박막의 결정 품질, 구조 특성 및 광발광 특성 분석 결과 고온 고산소 환경에서 GaAs가 β⁃Ga2O3 벌크 박막으로 전환되는 과정이 Langmuir 증발과 관련 있음을 확인할 수 있다. O2 유량이 낮을 때(0.2 L/min) GaAs 기판은 산소 결핍 상태에 있으며, 제작된 시료는 나노와이어 형태를 나타낸다. 반면 O2 유량이 0.4 L/min 이상일 때는 GaAs 기판이 나노 섬 구조의 β⁃Ga2O3 벌크 박막으로 완전히 산화되고 결정 품질이 크게 향상된다. 본 논문에서 제안한 갈륨 비소 단결정 열산화 공정은 효율적이고 저비용으로 고결정질의 나노구조 β⁃Ga2O3 벌크 박막을 얻을 수 있어 β⁃Ga2O3 소재 응용에 큰 기여를 한다.
关键词
열산화; 나노 섬 벌크 박막; β-Ga2O3; 산소 유량
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