近赤外円偏光発光（NIR-CPL）材料は、深部組織の透過性と高い情報容量という二つの利点を兼ね備えており、光学的な偽造防止、情報暗号化、生体イメージング、光学デバイスなどの分野で広範な応用可能性を示しています。しかし、既存の材料は発光の非対称因子（g_lum）が低く、制御が困難であるという課題があり、その実用化を制限しています。この課題に対し、本研究ではコレステリック液晶エラストマー（CLCEs）を基盤としたNIR-CPLシステムを構築しました。近赤外発光分子をキラル液晶エラストマーネットワークに導入し、CLCEsの周期的な螺旋構造を用いてフォトンバンドギャップ（PBG）を形成し、PBG位置の連続的調整を実現しました。研究の結果、PBGが近赤外発光分子の発光ピークと正確に重なるとき、NIR-CPLが著しく強化され、最大非対称因子（g_lum）は0.3に達しました。本研究は、高性能なNIR-CPL材料を構築するための簡便かつ有効な戦略を提供するだけでなく、がん検出および多段階情報暗号化応用の材料基盤を築くものです。

近赤外発光;円偏光発光;コレステリック液晶エラストマー;フォトンバンドギャップ