摘要
CsPbBr3ペロブスカイト量子ドットは、狭い発光、高い色純度、および高い量子収率のため、QLEDにおいて非常に有用である。従来のPEDOT:PSSホール注入層は、高い酸性、粗い形態、エネルギーレベルの不一致、およびキャリア注入の不均衡などの問題があり、デバイスの発光性能を著しく制限している。本稿では、PSSNaとCuBr2、NiBr2、LiBr金属ブロミドによるPEDOT:PSSの二元相乗ドーピング修飾を用いて、薄膜の形態制御、界面欠陥の効果的なパッシベーション、エネルギーレベル構造の最適化、およびキャリア輸送のバランス調整を実現した。形態評価の結果、二元ドーピングにより薄膜の密度が改善され、量子ドットの均一な敷設と規則的な配列が促進され、非放射性再結合損失が低減され、ホール注入障壁が低減されることが示された。デバイス性能評価では、修飾後のQLEDデバイスは点灯電圧が低下し、輝度と効率が大幅に向上し、NiBr2ドーピングデバイスが最良の性能を示し、ピーク外部量子効率は9.78％に達し、元のデバイスの2.2倍となった。本研究は、ペロブスカイトQLEDのホール注入層修飾に有効な手段を提供する。
关键词
ペロブスカイト量子ドット; PEDOT:PSS; 共ドーピング; ホール注入層
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