逆構造ペロブスカイト太陽電池は、低温加工特性、低ヒステリシス効果、および優れた積層適合性により注目されています。しかし、ペロブスカイトの上部界面および電子輸送層との接触領域には、未配位のPb²⁺やハロゲン空孔などの欠陥が存在しており、これに起因する非放射再結合がデバイスの開放電圧（V_oc）、フィルファクター（FF）、および長期安定性の向上を著しく制限しています。本研究では、2-メチル-2-プロペン酸-2,3-ジヒドロキシプロピルエステル（DHPMA）を用いて、エチレンジアミンジヨウ化物（EDADI）パッシベーション層上に多機能界面修飾層を構築しました。DHPMA中の隣接する二重ヒドロキシル基およびメタクリレート基の酸素サイトと、ペロブスカイト表面の未配位Pb²⁺、ハロゲン部位、有機陽イオン間の配位/水素結合の相乗効果により、ペロブスカイト上部界面の欠陥が効果的にパッシベートされ、デバイスの光電変換効率（PCE）は23.73%から24.70%に向上しました。本研究は、多官能基を有する界面工学を用いて非放射再結合を抑制し、ペロブスカイト光電変換デバイスの性能向上に新たな考え方を提供します。

逆構造ペロブスカイト太陽電池;上部界面;界面修飾;欠陥パッシベーション