ペロブスカイト量子ドット発光ダイオード（Pe QLEDs）は次世代ディスプレイ技術の非常に有望な候補となっています。しかし、その性能は依然として電子輸送層（ETL）による量子ドット（QD）の蛍光消光や過剰な電子注入に制約されています。ここでは、発光層とBPBiPA（2-フェニル-1-(4-(10-(4-(2-フェニル-3a,7a-ジヒドロ-1H-ベンゾ[d]イミダゾール-1-イル)フェニル)アントラセン-9-イル)フェニル)-1H-ベンゾ[d]イミダゾール）電子輸送層の間にTmPPPyTz（2,4,6-トリス(3'-（ピリジン-3-イル）-[1,1'-ビフェニル]-3-イル)-1,3,5-トリアジン）を挿入するインターフェース工学戦略を提案し、界面消光の抑制、キャリアバランスの調整、および発光層界面のパッシベーションを同時に実現しました。包括的な光学および電気的特性分析を行い、最適化されたデバイスは最大外部量子効率（EQE）28.1％と動作安定性1.7倍の向上を実現しました。本研究は、高効率で安定したPe QLEDsの実現に向けた効果的なインターフェース工学手法を提供します。

ペロブスカイト量子ドット発光ダイオード;インターフェース工学;蛍光消光