摘要
緑色光レーザーダイオードには「緑色の壁」問題が存在し、緑色光の範囲内のデバイスの光電変換効率が低いという課題があります。その主な原因は、高品質の量子井戸活性層の製造が困難であることです。本論文では、新型のInGaN/AlGaN/GaN量子井戸活性層構造を設計・成長しました。AlGaNキャップ層の保護効果により、多量子井戸の表面形態が著しく改善され、均方根粗さが0.5 nmまで低減した黄色光多量子井戸活性層を成功裏に作製しました。この活性層に基づき、発振波長520 nmのInGaN/AlGaN/GaN量子井戸緑色光レーザーダイオードを作製し、2 Aの電流において傾斜効率は0.36 W/A、出力光出力は180 mWに達しました。
关键词
MOCVD;GaN;レーザーダイオード;AlGaNキャップ層