摘要
スーパー放射ダイオード（Superluminescent diode、SLD）は、単方向の自発放射増幅現象に基づき、高出力、広い発光スペクトル、弱いコヒーレンスなどの特徴を持ちます。バイオメディカルイメージング、精密機器、光ファイバー通信などの分野で広範な応用が期待されており、第3世代半導体光電子デバイスの研究ホットスポットとなっています。本稿では、能動材料設計、導波路構造制御、光学端面最適化の三つの観点から、SLDデバイスのコア製造技術と研究状況を詳細にレビューします。多様な技術手段の融合により、SLDデバイスは性能、安定性、集積度において継続的なブレークスルーを実現しています。これに基づき、光学的コヒーレンストモグラフィー、干渉式光ファイバージャイロ、および光ファイバーセンサーシステムなどの分野における応用の進展を総括し、SLDデバイスの独自の優位性を示します。最後に、SLDデバイス研究における主要な課題を簡潔に分析し、その将来の展望を述べます。
关键词
スーパー放射ダイオード;量子井戸;導波路構造;光学的コヒーレンストモグラフィー
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