摘要
エルビウムドープドファイバーアンプ（EDFA）は大容量全光ネットワークの中核デバイスであり、高出力単一モード半導体レーザーポンピングが光信号増幅に必要です。本論文では非対称ブラッグ反射導波路エピタキシャル構造を採用した高出力976 nm単一モード半導体レーザーチップを開発し、極めて低い発散角とほぼ円形のビーム出力を実現しました。製造されたレーザは熱飽和制限により最大連続出力が1.5 Wを超え、1.2 Aの電流下で0.83 Wのひずみのない出力を得ました。この時、95％の出力を含む垂直および横方向の発散角はそれぞれ13.70°と10.95°で、レーザのピーク波長は976.16 nm、-3 dBのスペクトル幅はわずか0.11 nm、サイドモード抑制比は40 dBに達しました。レーザの遠方界分布はヒートシンク温度および動作電流の変化に鈍感であり、熱飽和条件下でも95％出力を含む垂直発散角は16°以下を維持しました。このレーザーチップは高効率な単一モード光ファイバー結合を実現し、低コスト高出力の単一モードEDFAレーザポンプモジュールの開発に寄与します。
关键词
ブラッグ反射導波路;単一モード半導体レーザー;高出力;低遠方発散角;光ファイバー結合
以上内容由讯飞翻译自动生成，翻译内容仅供参考。对于因使用本网站翻译内容产生的相关后果，本网站不承担任何商业和法律责任。
The above content is generated by Large Model Translation. The translated content is for reference only. We do not assume any commercial or legal responsibilty for any consequences arising from the use of our website