トップエミッション型量子ドット発光ダイオード（Quantum dot light-emitting diode、QLED）は、より高いピクセル開口率を有しており、表示技術において重要な応用価値を持っています。本論文ではまず、Al/Ag半透明陽極を設計し、作製した倒置型トップエミッターの最大外部量子効率（EQE_max）および最大電流効率（CE_max）はそれぞれ25.0％および54.1 cd/Aに達し、純粋なAg陽極デバイスと比較してそれぞれ22.5％および27.2％向上しました。研究により、Al/Agがホール注入能力を強化し、電荷注入のバランスに有利であることが示されました。次に、トップエミッションマイクロキャビティ効果がデバイスの発光性能に与える影響を研究し、電極の厚さとデバイスのキャビティ長さがデバイス性能を調整する役割を果たすことを発見しました。AgとZnMgOがそれぞれ27nmおよび65nmのとき、デバイス性能は最適でした。最後に、マイクロキャビティが励起子再結合に与える影響を調査し、Purcell効果が励起子の放射再結合を加速できることを発見しました。

トップエミッションQLED;Al/Ag半透明電極;倒置発光デバイス